Les différences entre un MOSFET à canal N et un transistor Darlington

Auteur: Gregory Harris
Date De Création: 15 Avril 2021
Date De Mise À Jour: 16 Peut 2024
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Les différences entre un MOSFET à canal N et un transistor Darlington - Des Articles
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Un transistor est souvent utilisé comme composant actif dans les amplificateurs et les commutateurs à grande vitesse. Bien que l'apparence externe de deux transistors de données soit similaire, ils n'utilisent pas tous le même circuit interne. Par exemple, si on le compare à un MOSFET, un transistor à jonction bipolaire conçu pour être utilisé dans une paire Darlington se comportera différemment lorsqu'une tension lui est appliquée.


Un transistor à jonction bipolaire fonctionne différemment d’un transistor à effet de champ (Hemera Technologies / PhotoObjects.net / Getty Images)

Transistors à effet de champ

Les transistors sont disponibles en deux types principaux: les transistors à effet de champ et les transistors à jonction bipolaire. Un transistor à effet de champ est un dispositif à tension contrôlée; étant qu'il utilise la tension appliquée à la porte pour créer un champ électrique. Ce champ contrôle la circulation du courant dans le reste du transistor.

Transistors à jonction bipolaire

Un transistor à jonction bipolaire est un dispositif à commande de courant. Lorsqu'un différentiel de tension est appliqué entre la base et les bornes de l'émetteur, un courant commence à circuler entre elles. Il permet au transistor de faire passer du courant à travers ses autres bornes.


Darlington Pair Transistors De Jonction Bipolaires

Une "paire Darlington" est un circuit électronique utilisé pour amplifier un signal alternatif. Lorsque deux transistors à jonction bipolaire sont connectés dans un circuit à paires Darlington, le gain du signal est égal au gain du premier transistor multiplié par le gain du second. Si chaque transistor est capable d'amplifier un signal à 100 fois la tension d'entrée, la paire Darlington peut amplifier la tension d'entrée jusqu'à 10 000 fois. En pratique, le gain en tension ne dépassera jamais la limite de tension maximale de chaque transistor; Cependant, pour les petits signaux alternatifs, un circuit à paires Darlington peut considérablement augmenter la taille du signal. Les transistors bipolaires à jonction conçus dans le but spécifique de créer une paire Darlington sont généralement appelés "transistors Darlington".


MOSFET à canal N

Un MOSFET est un type spécial de transistor à effet de champ qui est construit en utilisant un isolant en oxyde de silicium entre les bornes de grille et la région de source du transistor. Les premiers MOSFET utilisaient un terminal en métal pour la grille. Le MOSFET était appelé "transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique", ou MOSFET en abrégé. . Plusieurs MOSFET modernes utilisent un terminal de grille constitué de silicium polycristallin au lieu de métal. Un MOSFET à canal N a une région source dopée avec des impuretés de type N. Une telle région est implantée dans un substrat de type p. Lorsqu'une tension est appliquée à la grille, le transistor conduit le courant à travers la région de source, ce qui permet au transistor d'être connecté. Lorsqu'il n'y a pas de tension à la borne de grille, la région cesse de conduire le courant, ce qui provoque la désactivation du transistor.